欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
半导体近红外场助光阴极的研究
项目名称:半导体近红外场助光阴极的研究
项目类别:面上项目
批准号:69177006
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:侯洵
依托单位:中国科学院西安光学精密机械研究所
批准年度:1991
侯洵的项目
第27届国际高速摄影和光子学会议
曝光时间宽范围可调的X射线分幅摄影技术
期刊论文 9
X射线皮秒分幅摄影技术
半导体光电阴极中多量子光电发射材料和机理的研究