通过元素、氧缺陷和空位缺陷的掺杂认识了掺杂稀土锰氧化物薄膜光诱导特性的内在机制和光引发相变的规律,在金属态光诱导电阻增大,而在绝缘态则诱导电阻减小。掌握了掺杂稀土锰氧化物与ZnO、Si、YBCO和BiFeO等形成异质结的磁控溅射、离子束溅射和脉冲激光沉积复合制备机理,并成功制备了以上材料的异质结构。认识了以上所制备异质结构的低温自旋电子输运性质及其光电子时间响应、光致电导率变化与光强、光子能量、偏置电流和温度等的依赖关系,特别是锰氧化物层绝缘体-金属相变对输运特性的影响。对于La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)/Si 异质结,在270K电阻相对变化值最大值约为6200%,在室温296K,其相对变化可达到5674%。在以p型La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和n型ZnO形成异质结构中发现该异质结具有正的磁电阻和紫外超快光生伏特效应,这为其实际应用提供了极大的选择性。通过研究深入理解了锰氧化物光诱导特性的物理机制,而且也深入认识了电子关联体系与其他材料所形成异质结的量子耦合和尺寸效应,为锰氧化物及其异质结的应用奠定基础。
英文主题词Rare earch doped manganites;Heterostructure;Photoindcued effect; Coupling effect