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离子束溅射外延h-BN二维原子晶体及其与石墨烯异质结构研究
项目名称:离子束溅射外延h-BN二维原子晶体及其与石墨烯异质结构研究
项目类别:面上项目
批准号:61376007
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:张兴旺
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年度:2013
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
2
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0
期刊论文
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Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films
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