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高注入下GaN基紫光激光器的载流子输运及复合机制研究
  • 项目名称：高注入下GaN基紫光激光器的载流子输运及复合机制研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61474110
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘宗顺
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
湿化学腐蚀法制备808纳米砷化镓基激光二极管的脊形波导
Impact of GaN transition layers in the growth of GaN epitaxial layer on silicon
Fabrication of room temperature continuous-wave operation GaN-based ultraviolet laser diodes
The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN
刘宗顺的项目
　高效率In(Ga)N基太阳能电池材料生长和器件研究
AlGaN日盲紫外雪崩探测器的漏电机理及器件研制
期刊论文 2