对石墨烯/金属界面电阻起源的正确认识是实现其界面调控,成功设计新型石墨烯电子器件的基础。本项目利用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法系统研究石墨烯与若干金属的界面结构特点和电子输运性质。将研究电子耦合强度、自旋极化、以及石墨烯缺陷(空穴、掺杂和氧化缺陷)对石墨烯/金属界面电子输运性质的影响。通过分析体系的结合能、能带结构、态密度、磁结构、透射谱及电流-电压关系等,阐明接触电阻对界面耦合、石墨烯构型的依赖性,揭示磁性金属和石墨烯缺陷导致的界面电子输运变化,以达到界面优化的目的,为石墨烯电子器件的设计提供物理依据。
英文主题词electron transport;graphene-metal interface;contact resistance;first-principles theory;molecular electronics