欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
在Si衬底上Ⅱ-Ⅵ族超晶格的MOCVD生长及其光学特性研究
项目名称:在Si衬底上Ⅱ-Ⅵ族超晶格的MOCVD生长及其光学特性研究
项目类别:面上项目
批准号:69977019
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:范希武
依托单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年度:1999
范希武的项目
CdSe和ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其激子特性研究
ZnO紫外受激发射及其激子效应研究
期刊论文 9
MOCVD生长ZnSe超晶格及其激子效应的研究
ZnSe单晶中的自由激子发射
ZnSe和CdS晶体的近带边缘发射
ZnCdSe-ZnSe超晶格的MOCVD生长及其光学特性研究
ZnSe基超晶格中激子特性的研究