基于隧道效应的纳米加工原理与技术研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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基于隧道效应的纳米加工原理与技术研究

项目名称：基于隧道效应的纳米加工原理与技术研究
项目类别：面上项目
批准号：59475073
申请代码：E050903
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：1995-01-01-1997-12-01

项目负责人：张鸿海
负责人职称：教授
依托单位：华中科技大学
批准年度：1994

中文摘要：

首先改造我室自行研制的STM装置，采用新型扫描陶管、开发更高驱动电压的数控激励电源，使能在10μm?0μm宽范围内，在126位D/A转换器控制可得0.1nm分辨率扫描。采用微型电磁是在两端与工作台基面吸附，中间用压电陶管进行伸缩变形构造微爬行机构，其微定位分辨率可达30nm，工作范围可在10mm?0mm上进行nm级的微定位。用上述装置对Si（100）表面进行nm级的离子束光刻加工试验。首先将Si（100）在10%HF溶液中浸泡约一分钟，然后在净化室条件下风干、表面可生成约100nm厚的硅氢化物的钝化膜、然后在4～10V偏压下用STM探针的硅表面扫描，相当于电子束曝光。之后在60℃温度下将样品放入1mlKOH溶液中腐蚀1S。清洗后可得到宽为25nm深60nm的光刻加工图案。

中文主题词：隧道效应 ,大范围nm级微定位 ,nm级光刻加工

英文摘要：

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