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含钨氧化物中氧缺陷位置的计算化学模拟研究
  • 项目名称:含钨氧化物中氧缺陷位置的计算化学模拟研究
  • 项目类别:专项基金项目
  • 批准号:20641004
  • 申请代码:B010602
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2007-01-01-2007-12-31
  • 项目负责人:黄昕
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:福州大学
  • 批准年度:2006
中文摘要:

含钨氧化物作为一类重要材料获得广泛的技术运用, 其结构、性能和应用的关系是科学界和产业界关心的焦点。深入研究上述关系将为研发出新型的功能材料打下坚实的基础。本项目的申请人在前期与合作者运用理论和实验相结合的研究方法对几类钨氧化物的几何结构、电子结构、化学成键、顺序氧化等方面进行广泛深入的研究。本项目将在前期已经取得的重要成果基础上将重心放在三钨及四钨氧化物体系,这类体系的HOMO-LUMO能隙已经

结论摘要:

含钨氧化物作为一类重要材料在化学传感器以及异相催化等方面有着广泛的技术运用, 其结构,性能和应用的关系是科学界和产业界关心的焦点。 深入研究上述关系将为研发出新型的功能材料打下坚实的基础。本课题组运用高精度的密度泛函方法对一系列的钨氧化物和掺杂钨氧化物(钨/铬混合氧化物)的几何结构、电子结构、化学成键、顺序氧化等方面进行系统和深入的研究。研究结果表明,氧缺陷位置将随着掺杂过程由钨原子转移至掺杂原子之上,进而改变相关氧化物的表面形态。该成果将为深入理解含钨氧化物的缺陷结构提供微观的理论解释。


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