多层结构的巨磁阻材料(GMR)已经在磁存储应用上获得了巨大的成功,而结构更简单的CMR具有更大的磁存储应用潜力,只是其产生磁阻效应的临界场太高而几乎得不到应用。要弄清CMR的磁阻行为机制,必须要弄清注入电流与CMR微观结构和磁结构的作用机制及其如何受磁场的影响。实际上,注入电流也确能改变和调制决定CMR物性的三要素改变结构,改变电子态以及改变磁结构与行为。本项目将在我们自行研制成功的18T强磁场STM-MFM-AFM组合显微镜(简称SMA,我为主要建造人)基础上,对镜体部分做实质性改进,使原来的18T原子分辨率成像提升到19-20T;AFM/MFM测法也由调频非接触测量改为我组近期研制成功的高灵敏-高稳定的"反馈稳幅增速的调幅非接触测量"。更稳定、更精密、更高场的全新SMA将被应用于研究磁场与注入电流对庞磁阻单晶薄膜的微观局域磁结构与电子态的调控,揭示薄膜CMR的调控机理与应用潜力。
英文主题词Scanning Tunneling Microscope;Magnetic Force Microscope;Piezoelectric Motor;High Magnetic field;Manganite Film