中文摘要：

高亮度的激光光源对于非线性的光学倍频和自由空间通信等方面有着广泛的应用，其中具有锥形增益区和脊型波导的锥形激光器，由于制作简单，容易重复且成本低而具有较好的发展前景。传统的锥形激光器基本都采用量子阱材料，量子点激光器和量子阱激光器相比具有低的阈值电流密度和高的温度稳定性等优点，所以采用量子点材料作为有源区预计能够大大改善器件的性能。在本项目中，我们采用P型掺杂的InAs/GaAs 量子点材料作为有源区来制作1.3μm高亮度锥形激光器，不仅取得高的温度稳定性，同时器件也具有良好的光束质量。本项目在理论上建立了一套自洽的激光器特性模拟程序，使之能够完全模拟激光器工作时的电学、光学、热学特性，用于指导结构设计，并结合实验结果进行物理分析；实验上我们设计了几种腔长不同的器件，研究了不同分配比例对器件性能的影响。在测试上，搭建了光束质量测试系统，并在不同温度，不同工作电流条件下测试了器件的光束质量因子，测试出的光束质量因子均小于3；对于腔长为1.5mm和3mm的器件，我们测试了它们的特征温度，在温度30-70 的范围内，特征温度近似为无穷，这对于器件的实际应用具有非常重要的意义。