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InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究
  • 项目名称：InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究
  • 项目类别：重大项目
  • 批准号：61290303
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：张新惠
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 9
  • 0
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期刊论文
含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器
锑化镓基量子阱2μm大功率激光器
High power laser diodes of 2μm AlGaAsSb/InGaSb type I quantum-wells
Performance of dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on InGaAsSb bulk materials and InAs/GaSb superlattices
Excellent photothermal conversion of core/shell CdSe/ Bi2Se3 quantum dots
High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0μm with Very Small Lateral Beam Divergence
Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector
High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
Efficiency of electrical manipulation in two-dimensional topological insulators
张新惠的项目
III-V族半导体量子点的非线性与超快光谱研究
期刊论文 7
三维狄拉克半金属Cd3As2的超快与磁光光谱研究
二维层状纳米材料的谷极化与谷电子/自旋弛豫动力学研究
半导体二维电子体系自旋退相干与自旋输运实验研究自旋－轨道耦合效应
III-V族半导体自旋电子器件相关材料的磁化与自旋弛豫超快动力学研究
期刊论文 6