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中文摘要：
近年来窄能隙半导体材料展现出新奇的物理现象，同时在国防军事和通讯方面具有广泛而重要的应用。本项目侧重于研究窄能隙半导体新奇的输运、磁学和光学性质及其电场调控方法。我们发现了一些有趣的物理现象，如1）HgTe量子点中的边缘态；2）三维拓扑绝缘体表面磁性的电控制；3）石墨烯中应变效应导致的谷晶体管。部分研究成果发表在Phys. Rev. Lett.和Nature Materials等国际专业期刊杂志上。
结论摘要：
英文主题词Narrow gap semiconductors, transport,magnetism,strain
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