本项目建立了溶剂热合成技术,在相当低的温度下直接实现原来无法进行的化学反应以制备Ⅲ-Ⅴ族化合物纳米材料;苯热制备的30nmGaN中还观察到以前只在37万大气压以上的超高压下方存在的岩盐型相GaN;建立了高分辨电镜直接观察纳米材料中低含量物相和验证晶胞参数的技术,弥补了纳米材料颗粒尺寸太小,电子衍射图象模糊的缺点,并用高分辨电镜观察到闪锌矿型和岩盐型GaN的晶界间是一个晶格常数渐变的较为有序的过渡区;还利用聚醚能打开卤化物二聚体结构并形成配合物从而限制纳米晶粒生长的能力制备出10nmInP及其InALP固溶体。以上工作分别发表在美国《Science》、《Appl、Phys、Lett》等刊物上,均在国际上处于领先地位。