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中文摘要：
一维金属/半导体异质结纳米线因其新颖的结构、独特的光电特性和在纳电子领域应用的巨大优势和潜力而受到广泛关注和重视。但迄今所合成的此类材料多数存在尺寸不均匀、界面有缺陷和不易操纵等缺点，制约着它的性能研究和广泛应用。本项目基于纳米晶体生长动力学和晶体生长的各向异性，在液相中通过改变金属或半导体的单体浓度、反应温度、包裹剂浓度等参数，以及通过改变合成方法，控制纳米晶体在一维方向上的异相成核及异相成核后的一维同向生长，获得高质量和易操纵的金属/半导体异质结纳米线。系统研究纳米晶体异相成核和人为可控的异质结晶体生长动力学和规律性，寻找合成异质结纳米线的有效方法，发展纳米材料合成的新方法和新技术。同时，研究此类纳米材料的电学特性，探讨材料结构与电学特性之间的联系和规律，并与纯金属或半导体纳米线的电学特性进行比较，为开发具有自主知识产权的纳电子器件奠定理论和实验基础。
结论摘要：
英文主题词Heterojunction; Nanowire; Solution-phase synthesis; Metal and semiconductor; Electrical property
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