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共掺杂GaN基材料中稀土元素发光机制的研究
  • 项目名称:共掺杂GaN基材料中稀土元素发光机制的研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:60807002
  • 申请代码:F050106
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:万里
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:温州大学
  • 批准年度:2008
中文摘要:

在该项目的实施过程中,由于离子注入造成对晶格损伤,从而使得发光效率不高。因此对该方法进行调整,采用在生长过程中进行掺杂的方式实现稀土元素的掺杂。为了进行初步研究,采用了二氧化硅基底。采用不同的生长条件来实现不同浓度的稀土元素的掺杂。并通过不同的退火条件来研究退火对于稀土元素发光效率的影响。研究表明,退火处理前的样品中Tb3+稀土离子掺杂浓度在1%以内发光效率并不具备规律性,且随着掺杂浓度改变有起伏。在掺杂浓度超出1%后,发光效率随着浓度增加而增加。在退火处理后,在掺杂1%以内,退火900度为最佳退火温度。在掺杂超出1%,则最佳退火温度降为800度。并且还做了相同退火温度下,最佳掺杂浓度的研究。300度退火的样品研磨后发光强度大于未研磨样品。600度退火的样品研磨后发光强度弱于未研磨样品,但方向性变强。

结论摘要:

英文主题词Rare earth element; annealing; doping; luminescence efficiency; milling


成果综合统计
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