位置：立项数据库 > 立项详情页
针对InGaAs围栅纳米线隧穿场效应晶体管亚阈值摆幅退化的机理研究、模型改进及结构优化
  • 项目名称：针对InGaAs围栅纳米线隧穿场效应晶体管亚阈值摆幅退化的机理研究、模型改进及结构优化
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61574109
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：李聪
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2015
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性
Vertical-dual-source tunnel FETs with steeper subthreshold swing
李聪的项目
无结围栅纳米线MOSFET的短沟道效应研究
期刊论文 19 会议论文 3