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GaN基功率器件基础问题研究
  • 项目名称：GaN基功率器件基础问题研究
  • 项目类别：重点项目
  • 批准号：61334002
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：郝跃
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 17
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期刊论文
Effects of the fluorine plasma treatment on low-density drain AlGaN/GaN HEMT
一种双采样1.2V 7位125MS/s流水线ADC的设计
绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术
具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件
具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件
阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMTs器件实验研究
新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件
具有N型缓冲层REBULF Sup er Junction LDMOS
阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件
Monolithically integrated enhancement/depletion-mode AlGaN/GaN HEMTs SRAM unit and voltage level shifter using fluorine plasma treatment
Ka-band full-360° analog phase shifter with low insertion loss
Reverse blocking enhancement of drain field plate in Schottky-drain AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
The coupling effect of air-bridges on broadband spiral inductors in SiC-based MMIC technology
Mechanism of improving forward and reverse blocking voltages in AIGaN/GaN HEMTs by using Schottky drain
Effect of gate length on the parameter degradation relations of PMOSFET under NBTI stress
郝跃的项目
GaN宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究
期刊论文 159 专利 16
集成电路多目标优化的统计设计方法
超深亚微米新型槽栅CMOS器件及相关技术研究
期刊论文 31 会议论文 1
　GaN基深紫外LED材料的外延技术
期刊论文 1