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中文摘要：
本项目以在直流电场下具有介电可调性的钛酸锶钡（BaxSr1-xTiO3）铁电材料作为主要研究对象，通过改变锶钛比和离子掺杂，模板生长技术，流延，厚膜，薄膜等不同的成型、烧结和后处理工艺，调节其介电性能；研究材料的微观结构与介电性能的关系，解决在降低BSTO介电常数的同时往往导致介电可调性降低,提高介电可调性而引起介电常数和介电损耗增大的矛盾。制备在无偏置电场下介电常数≤300，tgδ≤0.001[7GHz]，具有较高介电可调性，适用于移相器的性能优异的BSTO铁电材料，以满足具有强大处理能力，低插入损耗，快开关速度，低驱动功率，小相移误差的相控阵天线的发展需要。这一研究不仅对铁电陶瓷材料领域的学术发展具有重要意义，同时对于我国国防技术的高技术化、现代化具有重大意义，其成果也可以应用于其他国民经济领域，具有巨大的社会、经济效益。
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