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基于65纳米以下工艺节点的抗辐照集成电路基础研究
项目名称:基于65纳米以下工艺节点的抗辐照集成电路基础研究
项目类别:重点项目
批准号:61434007
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:陈书明
依托单位:中国人民解放军国防科学技术大学
批准年度:2014
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
1
0
0
0
0
期刊论文
高迁移率Ge沟道器件研究进展
陈书明的项目
集成电路辐照效应与抗辐照技术研究
期刊论文 61
会议论文 18
专利 19
数字ASIC行波流水线设计方法学研究
考虑多节点电荷收集的纳米CMOS单粒子瞬态效应研究
期刊论文 3
同时多线程超长指令字DSP的体系结构关键技术研究
期刊论文 25
会议论文 15
获奖 4