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SOI高压器件荷致高场理论与新结构
  • 项目名称：SOI高压器件荷致高场理论与新结构
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：60806025
  • 申请代码：F040403
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：罗小蓉
  • 负责人职称：副教授
  • 依托单位：电子科技大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

SOI技术因其具有高速、低功耗和抗辐照等优点而备受关注。SOI LDMOS具有低耐压和自加热效应的缺点，限制其在高压功率领域的应用;且无统一理论指导SOI横向高压器件纵向耐压的设计。项目围绕SOI器件的耐压问题，从耐压理论、器件结构和模型方面研究。提出SOI高压器件荷致高场理论，通过引入电荷增强埋层电场而提高耐压。据此，提出系列SOI横向高压器件结构，包括具有双面电荷槽部分SOI ((DT PSOI)，复合埋层SOI (CBL SOI) 以及基于自隔离技术的具有埋N岛的集成SOI(BNIL SOI) LDMOSFETs。利用埋介质上方束缚的电荷使埋层电场从常规SOI LDMOS的120V/um以下增至300V/um以上，同时，硅窗口使衬底参与耐压并提供传热通道，以提高耐压并缓解自热效应。开发图形埋层SOI材料的制备工艺，研制720V的DT PSOI，730V CBL SOI及660V BNIL SOI LDMOSFETs。本项目是与国际同步的应用基础研究。发表论文30篇，SCI收录17篇，含IEEE EDL和TED 9篇。申请美国发明专利2项，PCT 1项，授权3项中国发明专利。

中文主题词： SOI;电场;电荷;调制;击穿电压
结论摘要：

英文主题词SOI;electric field; charge; modulation; breakdown voltage

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 34
  • 6
  • 7
  • 0
  • 0
期刊论文
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A novel partial silicon on insulator high voltage LDMOS with low-k dielectric buried layer
Novel Low-k Dielectric Buried-Layer High-Voltage LDMOS on Partial SOI
Double gate lateral IGBT on partial membrane
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Novel High-Voltage LDMOS Based on Self-adaptiveInterface Charge
A −188 V 7.2 Ω·mm2, P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX subs
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非均匀厚度漂移区SOI高压器件及其优化设计
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Conductivity modulation enhanced lateral IGBT with SiO_2 shielded layer anode by SIMOX technology on SOI substrate
Complementary charge islands structure for a high voltage device of partial-SOI
Novel SOI double-gate MOSFET with a P-type buried layer
A novel partial silicon on insulator high voltage LDMOS with low-k dielectric buried layer
Ultra-low specific on-resistance SOI double-gate trench-type MOSFET
A new structure and its analytical model for the vertical interface electric field of a partial-SOI high voltage device
会议论文
A Novel High Voltage SOI LDMOS with Buried N-layer in a Self-isolation High Voltage Integrated Circu
A new membrane PSOI high voltage device with a buried P+ layer
Partial SOI Power LDMOS With a Variable Low k Dielectric Buried Layer and a Buried P Layer
An analytical model for high voltage thin-film silicon on insulator RESURF devices
Novel High Voltage LDMOS on Partial SOI with double-sided Charge Trenches
A novel structure of high voltage SOI device with composite dielectric buried layer
专利
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在厚膜SOI材料中形成图形化半导体埋层的方法
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