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低维电子体系的量子输运研究
  • 项目名称:低维电子体系的量子输运研究
  • 项目类别:优秀青年科学基金项目
  • 批准号:11222436
  • 申请代码:A040204
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:吴孝松
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:北京大学
  • 批准年度:2012
中文摘要:

申请人一直从事低维电子体系在低温、强磁场下的量子输运研究。近年来研究集中在碳化硅表面外延石墨烯的生长,外延石墨烯及其微纳结构的量子输运以及相关的器件物理研究。发现了石墨烯中的弱去局域化效应,从而证明了石墨烯中电子的手性;在碳化硅表面制备了高迁移率外延石墨烯,并观察到了反常量子霍尔效应,结束了碳化硅表面的外延“石墨烯”是否是石墨烯的争论;制备了全石墨烯肖特基结,以及石墨烯纳米带晶体管阵列。迄今为止在Science、Phys. Rev. Lett.、Nature Nanotech.等杂志发表论文28篇,包括4篇第一作者Phys. Rev. Lett.,多篇文章被亮点报道,并在美国物理学会三月会议做邀请报告。为两本专业书撰写英文综述各一章。本项目将探索碳化硅表面高质量、大面积石墨烯的生长,并研究石墨烯中与自旋、赝自旋自由度相关的量子输运,同时开展石墨烯的器件物理研究。

结论摘要:

英文主题词graphene;spin-orbit coupling;valleytronics;surface engineering;point defect


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 17
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