中文摘要：

一般认为4f电子自旋只有在非常低的温度下才能发生有序排列（比3d电子自旋的有序排列温度低很多）。因此，4f电子的磁性一般不会影响体系的相转变温度。它只是在低温下叠加在3d电子磁性之上，与3d电子的磁性成铁磁或者反铁磁排列。然而，在前期的工作中我们发现在铁磁基态锰氧化物中4f电子磁性对体系的顺磁-铁磁相变温度有着重要的影响。本项目拟从多晶体系开始，首先设计一系列掺杂样品，找出3d与4f电子磁性相互作用较强的体系，然后再拓展到高质量的单晶样品体系。在远高于4f电子自旋有序排列温度的体系顺磁-铁磁相变温度Tc附近，研究3d与4f电子磁性之间相互作用的条件与微观机制。获得利用4f电子磁性调控体系居里温度Tc的方法。

结论摘要：

一般认为4f 电子自旋只有在非常低的温度下才能发生有序排列（比3d 电子自旋的有序排列温度低很多）。因此，4f 电子的磁性一般不会影响体系的相转变温度。它只是在低温下叠加在3d 电子磁性之上，与3d 电子的磁性成铁磁或者反铁磁排列。然而，在前期的工作中我们发现在铁磁基态锰氧化物中4f 电子磁性对体系的顺磁-铁磁相变温度有着重要的影响。本课题通过在具有铁磁基态的锰氧化物体系中设计一系列掺杂样品，找出3d 与4f 电子磁性相互作用较强的体系。在远高于4f 电子自旋有序排列温度的体系顺磁-铁磁相变温度Tc 附近，研究3d 与4f 电子磁性之间相互作用的条件与微观机制。获得利用4f 电子磁性调控体系居里温度Tc 的方法。已发表学术论文7篇。