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中子和r射线幅照SiGe HBT中的深中心及其对电学性能影响
  • 项目名称：中子和r射线幅照SiGe HBT中的深中心及其对电学性能影响
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：10075029
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：孟祥提
  • 依托单位：清华大学
  • 批准年度：2000
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
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期刊论文
辐照对SiGe HBT增益的影响
γ射线辐照对数字型彩色CMOS图像传感器输出特性的影响
孟祥提的项目
CMOS图像传感器的电子和质子辐照损伤机理研究
期刊论文 17 会议论文 6