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中文摘要：
拓扑密堆相是不同大小原子堆积最密集的晶体结构，在结构性与功能性材料均有应用。限于电镜分辨率（0.2纳米）限制，过去只能观察部分12、14配位原子的大通道排列。虽然从中也观察到许多缺陷结构，并且也与之与材料的性能联系起来。但缺乏通道周边原子构型不能准确判断此类结构位错、层错缺陷的性质。通过间接手段可从先进的透射电镜获得拓扑密堆相结构的缺陷构型的原子尺度分辨图像，使用像差校正电镜可望得到更高分辨能力的直观像。不同尺寸原子排列构型从纳米尺度的组分分析可提供有用的资料，能区分元素原子序的扫描透射电子显微像有更大潜力直观显示不同种类原子的排布。将从能量模拟计算的角度估量缺陷产生的位错滑移机制的可能性。综合图像、成分、能量计算的结果，提出该类结构缺陷性质的判断性结论。
结论摘要：
英文主题词Laves phase; Defects; Cs-corrected TEM; Energy analysis
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