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γ-Al2O3/Si复合衬底上氮化镓外延材料的生长
  • 项目名称：γ-Al2O3/Si复合衬底上氮化镓外延材料的生长
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：69906002
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘祥林
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：1999
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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期刊论文
在GaN生长初期形貌发展的观察
刘祥林的项目
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