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面向射频芯片应用的TR-SOI材料制备及层转移技术中的氢吸附机制研究
  • 项目名称：面向射频芯片应用的TR-SOI材料制备及层转移技术中的氢吸附机制研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61674159
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：魏星
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2016
魏星的项目
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期刊论文 3 专利 5
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