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高质量GaN薄膜及HVPEGaN 衬底研究
  • 项目名称：高质量GaN薄膜及HVPEGaN 衬底研究
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：60131160740
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：张荣
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2001
张荣的项目
第一届亚太宽禁带半导体会议
新型低维量子结构与器件
期刊论文 196 会议论文 66 获奖 2 专利 22 著作 2
　汉斯·约纳斯哲学思想及其效应研究
期刊论文 4
　推广型III族氮化物HVPE材料生长系统
期刊论文 28
化合物半导体材料
室温铁磁半导体的制备与铁磁性研究
期刊论文 22
新型半导体量子结构与器件相关基础问题
期刊论文 257 会议论文 95 获奖 5 著作 11
　半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究
期刊论文 41
新型低维量子结构与器件
期刊论文 36 著作 4
室温铁磁半导体材料及其器件应用
期刊论文 389 会议论文 158 著作 16
III族氮化物肖特基接触和场效应管研究
期刊论文 3
室温稀释磁性半导体材料和性质研究
期刊论文 18 专利 1
硅上单晶碳化硅薄膜的生长和结构研究
III族氮化物先进功能材料及新一代深紫外发光器件研究
期刊论文 5
宽禁带半导体极化诱导能带调控原理及器件应用
期刊论文 95 会议论文 29 专利 6
半导体功能量子结构相关基础问题
获奖 4