中文摘要：

纳米铜铟硒基半导体材料是重要的IB-IIIA-VIA族化合物，禁带宽度为1.55eV，且其禁带宽度对温度的变化不敏感，是直接带隙半导体材料，已作为太阳能电池的光吸收材料得到应用，然而提高太阳能电池材料的光电转化率，仍然是一项长期的研究任务。多孔配位聚合物具有规则孔道的多晶材料，稳定性高，尺寸可调，吸附具有高灵敏、高选择性。本研究通过设计、控制合成铜铟硒基IB-IIIA-VIA族半导体纳米材料，研究其组成、结构与性质的关系；通过选择和合成不同链长的配体，构筑具有特定吸附功能的多孔配位聚合物；通过自组装或表面吸附，制备纳米铜铟硒基半导体/多孔配位聚合物复合材料，研究复合材料的光电性质和光电转换效率，探讨其无机/有机微观过程。本研究对于提高铜铟硒基半导体纳米材料的光电转换效率和增大吸收光谱的波长范围具有重要意义。