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中文摘要：
本申请旨在探索亚稳结构I-III-VI2族硫属化合物半导体材料的合成新途径，着重研究I-III-VI2亚稳结构在相对温和反应条件下的形成、相稳定性，以期解决I-III-VI2族亚稳结构硫属化合物的合成方面的问题。采用水热、溶剂热及其它软化学合成技术，根据不同组成和结构类型的亚稳结构化合物，选择合适的反应路线，研究反应规律，精细调控各种反应参数，实现亚稳态I-III-VI2族硫属化合物半导体材料的有效控制合成。研究亚稳结构材料的光、电性能及其他特殊的物理化学性质，拓展材料新的应用领域，探索新的应用前景。
结论摘要：
英文主题词metastable structures; I-III-VI2 chalcogenides; synthesis methods
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