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中文摘要：
对半导体纳米结构的可控制备以及性能探索是当前国际上的研究前沿和热点问题之一，是实现未来新型光电子信息器件与集成的物理基础。本项目针对高密度硅基纳米材料的制备原理、技术新途径及其光电性质等关键问题进行了系统的研究。包括利用准分子脉冲激光与超薄非晶Si层的作用，发展了一种获得高密度均匀的硅基纳米结构的新途径，获得了面密度约10E12/cm2，平均尺寸〈10nm的纳米硅量子点材料，并在系统研究材料光电性质的基础上，设计和制作了基于硅/二氧化硅，硅/氮化硅等单层或多层结构的发光二极管原型器件,并探索了提高器件发光效率的有效途径。与此同时，开展了利用化学合成方法制备了具有不同尺寸的化合物半导体纳米颗粒的研究，对制备出的化合物纳米颗粒的光荧光特性进行了研究，对发光过程中能量转移的作用进行了研究，提出了相关模型以解释体系中发光过程与发光行为的变化。经过4年的工作达到了预期研究目标，在包括PRL.APL.OE等高影响因子杂志上发表学术论文40余篇，获得授权发明专利3项，申请4项，应邀在国内外会议上做大会邀请报告4次，培养博士和硕士研究生7名。
结论摘要：
英文主题词Semiconductor material; nanostructures; Optoelectronic property; device application
成果综合统计
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期刊论文
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