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中文摘要：
电子器件的持续微型化已经接近物理极限，下一代将是分子电子器件。除了组装和集成技术外，其应用关键是了解分子结构及其与电极的接触等对输运的影响。实验发现，器件中同一分子不同的电极可能导致几个量极的电导差异。这种差异究竟在多大程度上与界面结构、成键质量等等有关，我们将作深入研究。一般该领域采用的非平衡态格林函数（NEGF）方法，由于电荷需较大范围地转移以屏蔽偏压电场，导致电子自洽计算对计算机极高的要求，因此，目前只有十几个原子以下尺度的分子器件NEGF模拟计算。对此困难，我们将采用加外电场的薄片模型传统能带方法，模拟偏压电场，得到结区域的屏蔽电荷分布，以此作为NEGF的初始电子分布，只需一次或几次自洽迭代，大大减少计算量，从而可对较大的分子电子器件进行模拟。
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