中文摘要：

RF MEMS可调滤波器有广泛的应用前景。本项目提出并深入研究了一种新型数字式RF MEMS可调谐带通滤波器，其整体结构采用了电容耦合式RF MEMS开关和CPW（共面波导）传输线结构。本项目提出并系统研究了一种设计低插入损耗RF MEMS电容耦合式开关的新思路。首先，理论分析了介质层所处位置对开关边缘电容的影响。利用Maxwell 3D软件模拟并证实了原理分析结果。其次，详细阐述了降低插入损耗的新方法，并利用HFSS模拟并证实了该方法。最后，利用HFSS系统地模拟和分析了介质厚度、介质面积、介电常数、桥膜与传输线厚度等参数对介质层位置改变降低插入损耗程度的影响。深入细致研究并开发新型数字式RF MEMS可调谐带通滤波器。首先，提出并设计开发了2-bit、3-bit及4-bit新型数字式RF MEMS可调谐带通滤波器。其次，利用Maxwell 3D软件，模拟并精确确定了MAM结构的电容值；利用HFSS模拟研究滤波器中的典型开关结构以及可调谐滤波器的射频性能。最后，研究开发了圆片级CrSi高电阻薄膜材料制备与图形化新工艺；开发了一套加工工艺，并实现了RF MEMS开关及可调谐滤波器。