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新型快速响应RCE紫外探测器的基础研究
  • 项目名称：新型快速响应RCE紫外探测器的基础研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60676057
  • 申请代码：F040502
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2007-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人：谢自力
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2006
中文摘要：

紫外探测技术可用于火焰探测、导弹尾焰探测、环境污染监视等领域。紫外探测技术的关键是研制高灵敏度、低噪声的紫外探测器。目前应用的硅基紫外探测器需要在高电压下工作，体积笨重、效率低，对于实际应用有一定的局限性。因此，人们开始关注宽带隙半导体固体紫外探测器。Ⅲ族氮化物半导体紫外探测器已经成为最具吸引力的研究课题之一。本项目从紫外探测器的响应模型出发，研究设计了新型GaN基紫外探测器结构。建立、完善了铝镓氮多层异质结构紫外探测器的理论模型，优化设计方法。研究建立了MOCVD生长缓冲层成核机理模型。优化了用于紫外多色GaN基探测器材料的缓冲层生长工艺。研究了大晶格失配条件下的外延生长技术。研究建立了杂质活化机理与组分关系模型。研制出工作于300－360nm和250-280nm两个波段的高反射率(>90%)的分布式布喇格反射镜，数据达到国际先进水平。研制出了新型GaN基紫外探测器。研制出的全氮化物MSM型RCE探测器，其中心峰响应率为4.3A/W（329nm，6V偏压），获得了目前国际文献报道的最好结果。在发表学术刊物论文38篇，申请和获得发明专利6项。培养毕业博士4人，硕士2人。

中文主题词： AlGaN基共振增强型紫外探测器；分布式布喇格反射镜；响应模型；掺杂机理；器件工艺
结论摘要：

英文主题词AlGaN-based resonant-cavity-enhanced (RCE) photodetectors；distributed Bragg reflector；response model；doping mechanism；device processing

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 60
  • 15
  • 2
  • 0
  • 0
期刊论文
材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响
In_2O_3纳米线制备及其特性
Structure and Opticals of AlxGa1-xN/AlN Superlattice
一维AlN纳米结构制备进展
AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器
Silicon doping dependence of n-type Al0.5Ga0.5N layers grown by metalorganic chemical vapor depositi
MOCVD 制备 AlGaN 基多波段布拉格反射镜
MOCVD Growth and characterization og AlxGa1-xN films
Growth and Characterization of InN Thin Films on Sapphire by MOCVD
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
Effect of annealing on thermal expansion behavior of free sranging GaN
M 面非极性 GaN 材料 MOCVD 生长和特性研究
MOCVD 生长不同 Al 组分 AlGaN 薄膜
Influence of different surface-passivation dielectrics on high-temperature strain relaxation of AlGa
High-reflectivity AlGaN/AlN distributed Bragg reflector in ultraviolet region
MOCVD growth and characteristics of high quality AlGaN used in the DBR structure of ultraviolet dete
Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
InN薄膜的氧化特性研究
GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
GaN MOCVD生长机制的量子化学计算
MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究
Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates
m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性
MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究
薄膜材料研究中的XRD技术
MOCVD生长的全组分InGaN材料
一维AIN纳米结构制备进展
阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究
会议论文
MOCVD growth and characterization of epitaxial AlxGa1-xN films
AlN 在 c 面宝石基上的 MOCVD 生长
Silicon doping dependence of n-type Al0.5Ga0.5N layers grown by metalorganic chemical vapor depositi
Mg 参杂 p 型 AlGaN 的 MOCVD 生长
P 型 AlxGa1-xN(0<x<0.31) 薄膜光学性质研究
GaN 基共振增强型紫外探测器的研究
Mn 掺杂 GaN 基稀磁半导体材料制备和特性研究
AlGaN/AlN Resonant Cavity Enhanced p-i-n Ultraviolet Photodetector
湿化学腐蚀法研究 GaN 薄膜中的位错
MOCVD 生长全 Al 组分 AlGaN 薄膜
Strain and Compositional Modulation of the Near band Edge Band Structures of AlN and its Ternary All
AlGaN Based 330nm Resonant Cavity Enhanced P-I-N Junction Ultraviolet Photodetectors Using AlN/AlGaN
MOCVD 外延生长 R 面蓝宝石基 A 面 GaN 及 V / III 比研究
Au/Pt/InGaN/GaN Heterostructure Schottky Prototype Solar Cell
应变对 AlN 薄膜价带结构及光学性质的调制作用
专利
AlGaN 基共振增强单色紫外探测器结构和生长方法
用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构和生长方法
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