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　窄带隙IV-VI族半导体反常带隙变化研究
  • 项目名称：　窄带隙IV-VI族半导体反常带隙变化研究
  • 批准号：Y1110563
  • 项目来源：浙江省自然科学基金一般项目
  • 研究期限：2011-03-
  • 项目负责人：斯剑霄
  • 依托单位：浙江师范大学
  • 批准年度：0
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
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斯剑霄的项目
PbTe/CdTe纳米颗粒界面和能带的“人工裁剪”对热电性能影响的研究
期刊论文 2