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基于GaP晶体中耦合场量子受激散射过程的可调谐太赫兹波辐射研究
  • 项目名称:基于GaP晶体中耦合场量子受激散射过程的可调谐太赫兹波辐射研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60771053
  • 申请代码:F010606
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人:张显斌
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:西安理工大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

纳秒脉宽的红外泵浦光入射GaP晶体后,晶体中具有电磁特性的TO声子可以和入射光子形成耦合场量子;作为一种电磁特性的元激发,耦合场量子具有类声子和类光子的双重特性,其辐射场频率在太赫兹频段范围,这使耦合场量子本身可以辐射太赫兹频段电磁波。本课题将在以上物理思想基础上,首先研究GaP晶体的耦合场量子色散特性;其次论证通过GaP耦合场量子受激散射过程可以辐射宽带太赫兹电磁波;结合角度相位匹配及参量振荡原理,对太赫兹辐射的频率实现调谐;进而研究GaP辐射太赫兹波的有源区与THz波的远场空间分布特性关系。最终为今后实现可调谐、单色性好、波束质量高,且常温下工作的THz辐射源提供思路和依据。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
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