低温柔性基底上的薄膜晶体管研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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低温柔性基底上的薄膜晶体管研究

项目名称：低温柔性基底上的薄膜晶体管研究
项目类别：面上项目
批准号：60876048
申请代码：F040307
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2009-01-01-2011-12-31

项目负责人：张盛东
负责人职称：研究员
依托单位：北京大学
批准年度：2008

中文摘要：

柔性电子学是目前国际上最热门的前沿研究领域之一。低温柔性基底上的薄膜晶体管（TFT）技术是柔性电子学的核心技术之一。本项目以金属氧化物半导体氧化锌（ZnO）为功能材料，进行可应用于塑料基底的超低温（150 C以下）薄膜晶体管的制作和性能研究。主要研究内容有（1）有源层的低温制备方法和特性研究，（2）栅介质层材料的低温制备和特性研究，（3）栅电极材料低温制备和特性研究，（4）源漏电极材料制备和接触特性研究，（5）器件结构研究。通过研究可望获得（1）低温塑料基底上采用射频磁控溅射和直流反应磁控溅射两种技术制备高性能ZnO薄膜的方法；（2）顶栅结构和底栅结构ZnO－TFT性能的全面比较结果，给出两种结构器件优缺点的权威结论；（3）一种新的适用于ZnO薄膜的大面积低温掺杂技术。（4）一套完整的低温下高性能ZnO-TFT的制备方法。

中文主题词：柔性电子学；柔性显示；金属氧化物；薄膜晶体管；低温

成果综合统计