中文摘要：

SOI衬底上SiGe（SiGe-on-insulator,SGOI）异质结作为可以获得应变硅的衬底材料是当前半导体材料科学领域关注的研究方向之一，对SGOI异质结应变弛豫机制的探索将为优化SGOI制造工艺提供重要的科学依据。本项目研究了体Si和SOI衬底上SiGe层的应变弛豫机制、SOI衬底对SiGe层应变弛豫的影响、SiGe层应变弛豫与SOI顶层Si应变产生的关系、SOI顶层Si应变产生的微观机制，以及在加热拉伸条件下研究了温度对非晶氧化物埋层与位错应变场间相互作用的影响、非晶氧化物埋层与位错的相互作用机制及其对应变弛豫的影响，利用超高压电镜加热拉伸装置实现了上述微观过程的原位动态观察和记录，为SGOI异质结应变弛豫机制的全面确立提供了直接实验依据。