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InGaN量子阱的离子注入及其在白光LED中的应用
  • 项目名称：InGaN量子阱的离子注入及其在白光LED中的应用
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11275144
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：孟宪权
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究
CdSe 与 CdSe/ZnS 量子点合成及稀土掺杂
孟宪权的项目
非致冷正入射吸收量子点中、远红外探测器
期刊论文 14
AlGaN纳米线的制备、组装及其紫外探测器研究
离子注入制备硅基III - V 族半导体量子点及其光电特性研究
期刊论文 19 会议论文 1