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高亮度高效率微纳结构半导体白光照明LED
  • 项目名称：高亮度高效率微纳结构半导体白光照明LED
  • 项目类别：联合基金项目
  • 批准号：U0834001
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：金崇君
  • 依托单位：中山大学
  • 批准年度：2008
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 45
  • 14
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
Formation Mechanism of CaTiO(3) Hollow Crystals with Different Microstructures
High Quality GaN Grown on Si(111) Using Fast Coalescence Growth
Nanoflower arrays of rutile TiO2
Polarization modification in InGaN/GaN multiple quantum wells by symmetrical thin low temperature-Ga
Vertical GaN-Based Light-Emitting Diodes Structure on Si(111) Substrate with Through-Holes
A chip-level electrothermal-coupled design model for high-power light-emitting diodes
Fabrication of dodecagonal pyramid on nitrogen face GaN and its effect on the light extraction
Influence of V/III Ratio of Low Temperature Grown AlN Interlayer on the Growth of GaN on Si(111) Sub
为QED的在中心存在一个非对称孔的高Q平板光子晶体微腔
一种紧凑三角形光子晶体波分复用器件
Crack-free InGaN multiple quantum wells light-emitting diodes structures transferred from Si (111) s
Vertical InGaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes Structures Transferred from Si(111) Subs
Fabrication of non-planar silver nano-arc-gap arrays
GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究
Mode Evolution and Transmission Suppression in a Perforated Ultrathin Metallic Film with a Triangula
会议论文
高功率GaN基LED器件的研究现状与发展
新型通孔硅衬底GaN基LED结构的电流扩展分析
电极形状对蓝宝石衬底GaN基LED的电流扩展的影响
V基n-Al0.4Ga0.6N欧姆接触的研究
应力调制氮化镓基无荧光粉白光LED光电子学特性的研究
HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
由激光剥离技术转移到Cu衬底上的薄膜GaN基LED器件特性分析
脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响
一种新型垂直结构的硅基GaN绿光LED
利用侧向湿法腐蚀Al InN牺牲层技术构造GaN微腔
外电场对AlN/GaN双量子阱中子带间跃迁的影响
采用AlGaN/GaN多量子势垒阻挡层的大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管
激光剥离N极性面GaN的表面粗糙化研究
GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响
金崇君的项目
错位双层金属光栅的光学特性、物理原理和应用研究
期刊论文 1
光子晶体微腔在探测器和QED上的应用研究
期刊论文 34
光子定域化和光子带隙国际会议
在可见光区存在完全光子带隙的光子晶体的制备、特性和应用
期刊论文 12
新型金属微纳结构的光学特性及其应用研究
近红外和可见光区Metamaterials的制备及应用研究
期刊论文 25
表面等离子体增强的硅基InAsSb 纳米线中远红外探测器
期刊论文 13