中文摘要：

液晶中缺陷的研究是液晶基础理论以及电光应用领域的重要课题。缺陷可以调制受限液晶系统中的结构转变并且影响发生结构转变的阈值。外场作用可以控制缺陷的结构、位置以及双轴性等特征。Landau-de Gennes 理论用二阶对称无迹的序参数张量 Q 来描述液晶的取向序。张量场 Q 在缺陷核内部连续变化，其中不仅包含序参数的大小，并且可以同时描写单轴态和双轴态。应用此理论可以很好的描述缺陷附近的结构和性质。本项目主要基于 Landau-de Gennes 理论，利用松弛迭代方法，讨论电场对向列相液晶系统中缺陷结构、位置和性质的影响，研究电场诱导的有序重构现象，验证缺陷存在对结构转变的影响，并辅以已有实验现象对理论结果进行对比分析。该项目的研究，对向列相液晶中亚微米胶体粒子的调节作用具有一定的理论指导意义，并为新型双稳液晶器件以及蓝相液晶器件的研究与开发提供可靠的理论依据。