研究用于弱光嘱咐触发初中出发产生强流高压皮秒电磁脉冲的高功率砷化镓光电导开关器件。从非平衡态下的光子诱发高密度载流子的观点入手建立光注入畴器件的工作原理;利用首次发现的光激发电荷畴特性实现皮秒陡窄电脉冲的产生。完成器件新结构的设计,研制出三十千伏、一千安培、小于拾皮秒电流脉冲上生时间的器件。为超宽带脉冲源的应用提供必要的基础。
英文主题词picosecond electric pulse; optically activated domain ; photoconductive semiconductor switch