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基于原子理论的SiC/SiO2界面粗糙度对离子注入SiC MOSFET器件特性的研究
  • 项目名称：基于原子理论的SiC/SiO2界面粗糙度对离子注入SiC MOSFET器件特性的研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61404096
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘莉
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
SiC/SiO2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响
刘莉的项目