中文摘要：

针对经典晶场理论对半导体不适用情况，区别t2和eg轨道不同共价性引入不同的共价因子，建立了适用于半导体中的F态离子的电子能级结构和顺磁g因子的合理理论。利用新的理论公式，计算了十几种含过渡金属离子的半导体的晶场能级和顺磁g因子，所有理论计算结果都与光谱及电子顺磁共振实验符合很好，解释了一系列经典晶场理论无法很好解释的实验结果，很好地解决了半导体中F态离子的自旋哈密顿参数的理论问题，为研究含过渡金属离子的半导体的光磁性质奠定了新的理论基础。提出了四角场下近简并态的概念，指出在低对称畸变很小时应该用简并态的自旋哈密顿参量来取代非简并态的自旋哈密顿参量，以更精确地描述塞曼分裂。

结论摘要：

针对经典晶场理论对半导体不适用情况，区别t2和eg轨道不同共价性引入不同的共价因子，建立了适用于半导体中的F态离子的电子能级结构和顺磁g因子的合理理论。利用新的理论公式，计算了十几种含过渡金属离子的半导体的晶场能级和顺磁g因子，所有理论计算结加牍馄准暗缱铀炒殴舱袷笛榉虾芎茫馐土艘幌盗芯渚С±砺畚薹ê芎媒馐偷氖笛榻峁芎玫亟饩隽税氲继逯械腇态离子的自旋哈密顿参数的理论问题，为研究含过渡金属离子的半导体的光磁性质奠定了新的理论基础。提出了四角场下近简并态的概念，指出在低对称畸变很小的时应该用简并态的自旋哈密顿参量来取代非简并态的自旋哈密顿参量，以更精 针对经典晶场理论对半导体不适用情况，区别t2和eg轨道不同共价性引入不同的共价因确地描述塞曼分裂。