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InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
  • 项目名称：InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60876009
  • 申请代码：F040104
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：冯志红
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 批准年度：2008
中文摘要：

InAlN/GaN异质结材料以其无应变和高电流密度等特点成为毫米波场效应晶体管的理想材料，是目前国际上晶体管应用材料的研究热点。本项目选择与GaN晶格匹配的无应变17%In组分InAlN材料为关键技术突破口，开展了高质量In0.17Al0.83N/GaN异质结场效应晶体管材料生长技术及器件的研究。通过理论分析，金属有机化学气相沉积工艺研究，X射线衍射、光荧光谱、霍尔、透射电镜、原子力显微镜等分析手段，掌握InAlN生长模型和生长机理，进而分析InAlN/GaN异质结材料极化效应原理，分析影响二维电子气的因素，获得蓝宝石衬底上二维电子浓度2.31E+13/cm2，电子迁移率1005cm2/Vos的InAlN/GaN材料，大信号在片测试器件，10GHz和源漏电压24V下输出功率密度4.69W/mm，增益11.8dB，最高功率附加效率48%，截止频率fT为34GHz，最大频率Fmax为41GHz。据我们所知，这是国内首次实现高性能InAlN/GaN HEMT器件。

中文主题词： InAlN；无应变；场效应晶体管；二维电子气
结论摘要：

英文主题词InAlN; unstrained; FET; 2DEG

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 33
  • 10
  • 4
  • 1
  • 0
期刊论文
Schottky Source/Drain Al2O3/InAlN/GaN MIS-HEMT with Steep Sub-threshold Swing and High ON/OFF Curren
A high-performance enhancement-mode AIGaN/GaN HEMT
18-GHz 3.65-W/mm Enhancement-mode AlGaN/GaN HFET Using Fluorine Plasma Ion Implantation
对流扩散方程的非一致网格有限差分方法
高性能SiC整流二极管研究
宽带GaN单片功率放大器研究
InP-Based RTD/HEMT Monolithic Integration
Highly uniform sheet resistance of the double-channel AlInN/GaN heterostructure
10-GHz 4.69-W/mm InAlN/GaN HFET on sapphire substrate
Growth mechanism of vertical compositional inhomogeneities in AlInN films
二维对流扩散方程的紧致差分格式
Influence of the strain of AlN buffer layer on the strain evolution of GaN epilayer grown on 3-in 6H
AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管的研究与进展
A 4.69W/mm output power density InAlN/GaN HEMT grown on sapphire substrate
Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响
SiC衬底AlN缓冲层的应变对GaN外延层质量的影响
毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究
GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究
Enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with low gate leakage current
An extrinsic fmax 〉 100 GHz InAlN/GaN HEMT with AlGaN back barrier
Extrinsic and intrinsic causes of the electrical degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
A 4.69-W/mm output power density InAIN/GaN HEMT grown on sapphire substrate
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
偏置应力对InAlN/GaNHEMT直流特性的影响
1.0 μm gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor deposition
DC Characteristics of Lattice-Matched InAlN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors
Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
会议论文
Characterization of lattice-matched AlInGaN/GaN heterojunction with high Al content grown by MOCVD
Influence of the strain of AlN buffeg layer on the strain evolution of GaN epilayer grown on 3-in 6H
DC Characteristics of Large Gate Periphery InAlN/GaN HEMT on Sapphire Substrate
10-GHz 4.69W/mm InAlN/GaN HFET on Sapphire Substrate
Schottky Source/Drain Al2O3/InAlN/GaN MIS-HEMT with Steep Sub-threshold Swing and High ON/OFF Curren
GaN基HEMT器件可靠性研究
毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究
Fluorine-Plasma-Induced Trap Behaviors in AlGaN/GaN HEMT Structure
微波功率宽禁带半导体中陷阱问题和极化工程
晶格匹配AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道异质结材料研究
专利
利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法
InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法
InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法
获奖
第三代（宽禁带）半导体军用电子材料和器件基础研究
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