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高功率垂直腔面发射激光器的研究
  • 项目名称:高功率垂直腔面发射激光器的研究
  • 项目类别:重点项目
  • 批准号:60636030
  • 申请代码:F0403
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2007-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:陈良惠
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院半导体研究所
  • 批准年度:2006
中文摘要:

随着外延材料质量的提高和湿法氧化等器件工艺技术的进展,高功率的垂直腔面发射激光器(VCSEL)迅速发展起来。高功率垂直腔面发射激光器具有光束质量高、没有COD现象、易于耦合、易于光电集成的优点,可以广泛的应用于激光泵浦、激光雷达、激光医疗、背光照明、空间激光通讯等诸多领域。其自身的发展方向主要是多波长、高功率密度、高光束质量、高转换效率,同时也将与列阵技术、外腔技术、腔内倍频技术、纳米微细结构加工技术相结合,不仅可大幅度提高了输出功率,而且还可以改变输出波长和输出光束特性。目前,高功率VCSEL的发展瓶颈在于其转换效率仍较为低下,其迫切需要发展的技术主要包括模拟仿真技术、高质量外延生长技术、器件工艺技术等。

结论摘要:

英文主题词High power; VCSEL; Array; Nano-structure


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 16
  • 2
  • 5
  • 0
  • 0
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