中文摘要：

研究控制ECR（电子回旋共振）等离子体中的电子与离子照射能及电子/离子照射能量对ECR-Al膜的纳米结构的影响。通过阳极氧化在ECR-Al膜上制备25nm-100nm直径的Al2O3纳洞，并利用电化学沉积的方法在纳洞中填充Co磁性材料。通过垂直磁记录硬盘微摩擦退磁测试实验，得到了垂直磁记录硬盘的载荷速度临界退磁曲线；基于该曲线，建立了温度应力耦合有限元计算模型，并计算得到垂直磁记录硬盘退磁临界温度TD＝92.4 oC，退磁临界应力σD＝-0.517GPa。在模拟磁头真实工作温度情况下进行硬盘摩擦退磁测试和有限元解析，结果表明，随着磁头温度升高，破坏扇区数量增加；磁盘磁性层最高温度值和最大应力值都增加，当二者都高于临界退磁温度和应力时，磁盘退磁。