中文摘要：

利用分子束外延技术，在半导体激光器的有源区中采用高密度的和高度均匀的InGaAs/GaAs 亚单层量子点材料，研制出室温下能连续激射的980 nm InGaAs/GaAs 亚单层量子点激光器。与通常的在Stranski-Krastonow 模式下生长的980 nm InGaAs/GaAs 量子点激光器相比较，在设计相同的情况下，亚单层量子点激光器将具有更高的输出功率和更小的线宽增强因子。通过在激光器的波导层中引入短周期间接带隙超晶格，减小载流子的寄生复合几率，提高亚单层量子点激光器的特征温度。高特征温度、大功率和小线宽增强因子的980 nm InGaAs/GaAs 亚单层量子点激光器可以作为搀铒光纤放大器泵浦源和用于医疗切割等。因此，980 nm InGaAs/GaAs 亚单层量子点激光器的研制及其特性的研究不仅具有重要的学术意义，而且具有很大的应用价值。