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HMGB1/TLR4/TRAM途径:脑缺血炎症损伤的新机制
  • 项目名称:HMGB1/TLR4/TRAM途径:脑缺血炎症损伤的新机制
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:30870859
  • 申请代码:H0906
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:杨清武
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:中国人民解放军第三军医大学
  • 批准年度:2008
中文摘要:

炎症反应在脑缺血继发性神经损伤中具有重要作用,但至今其启动机制不清楚。本项目在前期发现TLR4在脑缺血炎症损伤中具有重要作用的基础上,深入研究在脑缺血中与其作用的配体及下游的信号途径,试图阐明脑缺血炎症损伤的起始环节,为脑缺血防治提供新靶点。结果发现在脑缺血中HMGB1明显增高,并与外周炎症因子、患者的神经功能缺损呈明显正相关;同时发现脑缺血产生的HMGB1可通过TLR4导致炎症损伤;还发现脑缺血时TLR4介导的炎症反应是通过非TRIF依赖途径。最后发现TLR4单克隆抗体能显著抑制脑缺血炎症损伤,明显改善神经功能缺损。结果揭示了脑缺血炎症损伤的起始环节,提示TLR4有望成为脑缺血防治新靶点。该项目共发表国外SCI论文3篇,主要成果获得重庆市科技进步一等奖,培养在读研究生2名。

结论摘要:

英文主题词Cerebral ischemia;inflammation reaction;HMGB1;TLR4;TRIF


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 1
  • 0
  • 1
  • 0
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