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高k介质/拓扑绝缘体界面结构的物理和电学特性研究
  • 项目名称：高k介质/拓扑绝缘体界面结构的物理和电学特性研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376092
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：孙清清
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
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期刊论文
1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术
孙清清的项目
新型低功耗电子器件
　原子层淀积高k/金属栅纳米叠层及功函数调制机理研究
原子层淀积栅介质/石墨烯纳米叠层的界面和电子结构
期刊论文 24
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