中文摘要：

本项目认为纳米和分子器件会寄生出除寄生电阻、寄生电容外新的寄生效应（我们称之为寄生量子尺寸效应）。大家知道量子尺寸效应对于采用“自上而下”技术路线的传统硅基半导体晶体管是有害的。但本项目认为寄生量子尺寸效应但对于采用“至下而上”技术路线的纳米及分子器件来说不全是有害的，某种程度上反而是有利的,能够增强器件的性能以及降低器件的功耗。本项目将采用基于非平衡态格林函数结合密度泛函方法，着重研究纳米及分子器件中有利的寄生量子尺寸效应(重点研究纳米及分子尺度下能态密度局域化这个量子尺寸效应怎样增强纳米器件的性能和降低其功耗功耗)，以及怎样增强有利的和减弱有害的寄生量子尺寸效应。